前言

随着英特尔推出其 Panther Lake 芯片，该芯片采用突破性的 1.8nm 制程制造，全球半导体霸主地位的竞赛加剧。到 2026 年，该竞赛将在台积电 2nm 生产、三星的良率优化和英特尔的 18A 芯片大规模生产中达到关键里程碑。这些进步标志着半导体技术的新时代，为 先进半导体 市场的激烈竞争奠定了基础。

懒人包

英特尔的 Panther Lake 芯片，全球首款 1.8nm 处理器，标志着性能提升 50% 和能源效率提高 30%。 主要创新包括 RibbonFET 晶体管架构 和 PowerVia 背面供电技术，推动英特尔领先于其竞争对手。

正文

英特尔最近发布的 Panther Lake 笔记本电脑芯片，是世界上首款基于 1.8nm 制程技术的芯片，标志着半导体行业的关键事件。计划于 2026 年初发布，这款处理器相比前代，性能提高 50% 并将功耗降低 30%，代表了英特尔在先进制造能力上的重要跃升。

在参观英特尔的 Fab 52 期间，分析师通过观察窗观察到了英特尔的工程成就。这座价值数十亿美元的设施是英特尔 IDM 2.0 策略的基石，对其重新进入尖端制造业前沿至关重要。

英特尔超越 2nm 门槛的过程中，引入革新创新的技术克服了传统制程面临的物理限制。引入 RibbonFET 和 PowerVia 技术，英特尔通过垂直纳米片堆叠增强了门控控制，将晶体管密度提升约 30%。PowerVia 计划令人印象深刻地将电源路径移至晶圆背面，使电压稳定性提升并实现 4% 的能源效率增长。

相比之下，台积电的 2nm 节点继续进行正面供电，背面供电技术预计将在其 N2P 版本中于 2026 年推出，晚于英特尔大约一年。

英特尔的 18A 芯片的推出激发了全球半导体竞争，迫使台积电和三星进行战略运作，以在次 2nm 技术中占据优势地位。台积电计划一条保守的路线，计划在 2025 年底实现 2nm 大规模生产，并在 2028 年实现 1.4nm 节点。尽管起初不具备背面供电技术，他们的制程改进支持了芯片性能的提升。

苹果和英伟达都定位为早期采用者，预计后者在 2026 年的 iPhone 18 系列中将采用台积电的 2nm 芯片。与此同时，尽管三星在其 3nm 节点中早期采用了 GAA 晶体管方法，但良率问题仍困扰着客户的信心。计划直到 2025 年才进行 2nm 的生产，并伴随着有竞争力的定价策略，凸显了三星对这些技术挑战的应对措施。

激烈竞争的局面表明，如果英特尔能够获得客户对 18A 大规模生产的认可，可能会改变代工服务市场。然而，在短期内，台积电在先进制程服务中依然保持了 66% 的市场占有率，并在 2025 年第一季度实现年增长 7% 的收入，达到 47 亿美元。

展望未来，英特尔预计在 2027 年进行 14A (1.4nm) 的风险生产，利用高 NA EUV 光刻技术。同时，台积电的 1.4nm A14 制程计划于 2028 年投产，提供 NanoFlex Pro 设计提升，大幅提高芯片性能和效率。

Gartner 预测显示，到 2028 年，1.8nm 及以下的芯片全球市场将超过 300 亿美元，主要推动力来自 AI 和高性能计算领域，占这一庞大市场的 60% 以上。

这场价值数十亿美元的竞赛不仅依赖于精密的曝光技术，也依靠供应链的韧性、成本效率和生态系统的稳健性，这些都是领导地位道路上的关键因素。

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